特斯拉投资者说明会在3月1日举行,会上表示,为了实现更具规模化的新能源汽车生产,特斯拉的下一代驱动单元将减少75%的碳化硅(75%reduction in silicon carbide),作为合计降低1000美金成本的手段之一。 碳化硅芯片面积减少是技术发展的结果,利于降低成本碳化硅器件制造成本中,约47%为衬底材料,从马斯克“第一性原理”出发,减少碳化硅用量最根本的方法为减少碳化硅芯片面积。 基于工艺的进步和设计的优化,SiCMOSFET性能逐代提升,单位导通电阻值需要的芯片面积将越来越小。比导通电阻值(Ron,sp)是评价单极型功率器件性能的重